新闻动态   News
搜索   Search
你的位置:主页 > 创新研发 >

太阳能级单晶硅常识概要

2018-10-29 10:31      点击:

  太阳能级单晶硅常识概要

  单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中成长出棒状单晶硅。熔融的单质硅在凝结时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,假如这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

  单晶硅棒是出产单晶硅片的原资料,跟着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速添加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

  单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,芯片的本钱也就越低。但大尺度晶片对资料和技能的要求也越高。单晶硅按晶体成长办法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法成长单晶硅棒材,外延法成长单晶硅薄膜。直拉法成长的单晶硅首要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。现在晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶首要用于高压大功率可控整流器材范畴,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。现在晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片首要用于集成电路范畴。$r)

  单晶硅也称硅单晶,是电子信息资料和光伏职业中最基础性资料,属半导体资料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个范畴。

  硅片直径越大,技能要求越高,越有市场前景,价值也就越高。